พิมพ์หน้า
CSD23381F4
MOSFET, P-CH, 12V, 2.3A, LGA-3
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTEXAS INSTRUMENTS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตCSD23381F4
รหัสสินค้า3385721
Product RangeFemtoFET
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
29 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
29 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB10.490 |
| 10+ | THB6.270 |
| 100+ | THB4.040 |
| 500+ | THB3.090 |
| 1000+ | THB2.040 |
| 5000+ | THB1.840 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 5
หลายรายการ: 5
THB52.45
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTEXAS INSTRUMENTS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตCSD23381F4
รหัสสินค้า3385721
Product RangeFemtoFET
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id2.3A
Drain Source On State Resistance0.15ohm
Transistor Case StyleLGA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max950mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeFemtoFET
Qualification-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
Transistor Case Style
LGA
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.15ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
950mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
FemtoFET
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Taiwan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Taiwan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000002