ลงทะเบียนเพื่อรับข่าวที่นี่
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB115.780 |
| 10+ | THB101.310 |
| 25+ | THB83.950 |
| 50+ | THB75.260 |
| 100+ | THB69.480 |
| 250+ | THB64.840 |
| 500+ | THB61.370 |
| 1000+ | THB54.330 |
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
MPQ1925 is a high-frequency, N-channel MOSFET, half-bridge gate driver. The device’s low-side MOSFET (LS-FET) and high-side MOSFET (HS-FET) driver channels are independently controlled, and are matched with less than 5ns in time delay. In the case of an insufficient supply, the device’s HS-FET and LS-FET under-voltage lockout (UVLO) protection forces the outputs low. The MPQ1925 also features an integrated bootstrap (BST) diode to reduce the external component count. The MPQ1925 is available in a QFN-8 (4mmx4mm) package. Applications include motor drivers, telecommunication half-bridge power supplies, avionics DC/DC converters, two-switch forward converters, active-clamp forward converters.
- Drives an N-channel MOSFET half-bridge
- 115V bootstrap voltage (VBST) range, on-chip bootstrap (BST) diode
- Typical 20ns propagation delay, <lt/>5ns gate driver matching time
- Drives a 2.2nF load with a 15ns rise time and 10ns fall time at 12V VDD
- Transistor-to-transistor logic (TTL) compatible input
- <lt/>150µA quiescent current (IQ)
- High-side MOSFET (HS-FET) and low side MOSFET (LS-FET) undervoltage lockout (UVLO) protection
บันทึก
MPS part numbers ending in "-P" and "-Z" are the same parts. P & Z only indicates reel size.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
1Channels
Half Bridge
8Pins
Surface Mount
4.7A
8V
-40°C
20ns
-
-
MOSFET
QFN-EP
TTL
6A
15V
150°C
20ns
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์