พิมพ์หน้า
S76HS512TC0BHB013
Flash Memory, 512 Mbit, HYPERBus, 200 MHz, FBGA, 24 Pins
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตS76HS512TC0BHB013
รหัสสินค้า4125862RL
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP005728093, S76HS512TC0BHB013
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
64 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
64 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB1,050.830 |
| 10+ | THB977.570 |
| 25+ | THB948.610 |
| 50+ | THB926.670 |
| 100+ | THB905.170 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB1,050.83
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตS76HS512TC0BHB013
รหัสสินค้า4125862RL
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP005728093, S76HS512TC0BHB013
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Flash Memory Type-
Memory Size512Mbit
Memory Density512Mbit
Memory Configuration-
Flash Memory Configuration-
IC Interface TypeHyperBus
InterfacesHyperBus
IC Case / PackageFBGA
Memory Case StyleFBGA
No. of Pins24Pins
Clock Frequency Max200MHz
Clock Frequency200MHz
Access Time-
Supply Voltage Min1.7V
Supply Voltage Max2V
Supply Voltage Nom-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
- SEMPER™ Flash and HYPERRAM™ 2.0 with HYPERBUS™ interface in multi-chip package (MCP)
- 1.8V, 512Mb SEMPER™ Flash and 64Mb HYPERRAM™ 2.0
- 512Mb SEMPER™ flash density, 45-nm MIRRORBIT™ Process technology SEMPER™ flash device technology
- 64Mb HYPERRAM™ density, 24-ball FBGA 8 x 8 x 1.2mm package type, low-halogen package material
- Automotive, AEC-Q100 grade 2, operating temperature range from -40°C to +105°C, 200MHz
- Chip select (CS#), 8-bit data bus (DQ[7:0]), data strobe (DS/RWDS)
- Bidirectional DS/mask, output at the start of all transactions to indicate refresh latency
- Output during read transactions as read DS, optional signals
- Busy to ready transition, RSTO# output to generate system level power-on-reset (POR)
- User configurable RSTO# LOW period, high-performance, DDR, two data transfers per clock
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Flash Memory Type
-
Memory Density
512Mbit
Flash Memory Configuration
-
Interfaces
HyperBus
Memory Case Style
FBGA
Clock Frequency Max
200MHz
Access Time
-
Supply Voltage Max
2V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
105°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Memory Size
512Mbit
Memory Configuration
-
IC Interface Type
HyperBus
IC Case / Package
FBGA
No. of Pins
24Pins
Clock Frequency
200MHz
Supply Voltage Min
1.7V
Supply Voltage Nom
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85423990
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.001553