
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB279.050 |
| 10+ | THB214.340 |
| 25+ | THB202.540 |
| 50+ | THB194.900 |
| 100+ | THB187.240 |
| 250+ | THB180.680 |
| 500+ | THB173.150 |
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ตัวเลือกสำหรับ IR2213PBF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IR2213PBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT high and low Side Driver with independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 1200V.
- Floating channel designed for bootstrap operation
- Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
- Under-voltage lockout for both channels
- 3.3V Logic compatible
- Logic and power ground ±5V offset
- CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
- Cycle-by-cycle edge-triggered shutdown logic
- Matched propagation delay for both channels
- Outputs in phase with inputs
การใช้งาน
Power Management
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
2Channels
High Side and Low Side
14Pins
Through Hole
2A
12V
-40°C
280ns
-
-
-
IGBT, MOSFET
DIP
Non-Inverting
2.5A
20V
125°C
225ns
-
No SVHC (23-Jan-2024)
เอกสารทางเทคนิค (4)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
