ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IR2111PBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with dependent high and low-side referenced output channels designed for half-bridge applications. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. Logic input is compatible with standard CMOS outputs. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Internal dead-time is provided to avoid shoot-through in the output half-bridge. The floating channel can be used to drive a N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
- Tolerant to negative transient voltage DV/DT Immune
- Under-voltage lockout for both channels
- CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
- Matched propagation delay for both channels
- Internally set dead-time
- High side output in phase with input
การใช้งาน
Industrial, Consumer Electronics, Alternative Energy, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
-
-
Through Hole
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์