อยากได้เพิ่มใช่ไหม
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB118.410 |
| 10+ | THB91.800 |
| 25+ | THB87.160 |
| 50+ | THB83.690 |
| 100+ | THB80.370 |
| 250+ | THB77.680 |
| 500+ | THB74.970 |
| 1000+ | THB71.910 |
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IR2104PBF is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT Half-bridge Driver with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates from 10 to 600V.
- Floating channel designed for bootstrap operation
- Tolerant to negative transient voltage
- dV/dt Immune
- Under voltage lockout
- 3.3, 5 and 15V Input logic compatible
- Cross-conduction prevention logic
- Internally set dead time
- High side output in phase with input
- Shutdown input turns off both channels
- Matched propagation delay for both channels
การใช้งาน
Industrial, Consumer Electronics, Alternative Energy, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
2Channels
Half Bridge
8Pins
Through Hole
210mA
10V
-55°C
680ns
-
-
-
IGBT, MOSFET
DIP
Non-Inverting
360mA
20V
150°C
150ns
-
No SVHC (25-Jun-2025)
ตัวเลือกสำหรับ IR2104PBF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์