อยากได้เพิ่มใช่ไหม
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB28.560 |
| 250+ | THB26.940 |
| 500+ | THB25.940 |
| 1000+ | THB24.690 |
| 2500+ | THB24.490 |
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IR2101STRPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output and down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive a N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
- Tolerant to negative transient voltage DV/DT Immune
- Under-voltage lockout
- Matched propagation delay for both channels
- Outputs in phase with inputs
การใช้งาน
Industrial, Consumer Electronics, Alternative Energy, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
2Channels
High Side and Low Side
8Pins
SOIC
Non-Inverting
360mA
20V
125°C
150ns
-
No SVHC (25-Jun-2025)
-
IGBT, MOSFET
SOIC
Surface Mount
210mA
10V
-40°C
160ns
-
MSL 2 - 1 year
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์