พิมพ์หน้า
FF6MR12KM1BOSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.2 kV, 5810 µohm, Module
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFF6MR12KM1BOSA1
รหัสสินค้า3516930
Product RangeCoolSiC C
เป็นที่รู้จักกันในชื่อFF6MR12KM1, SP001686408
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id250A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance5810µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolSiC C
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
250A
Drain Source On State Resistance
5810µohm
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
CoolSiC C
เอกสารทางเทคนิค (1)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน4
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Hungary
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Hungary
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.348888