ซีรีส์ MOSFET กำลัง N-Channel Super Junction 600 V ที่มี R_DS(on) ต่ำพิเศษ

ด้วยกระบวนการ U-MOS-X ทำให้อุปกรณ์มีพื้นที่การทำงานที่ปลอดภัยและค่าความต้านทานในสถานะเปิดที่ดียิ่งขึ้น

Toshiba ได้เปิดตัว MOSFET กำลัง N-Channel ซีรีส์ใหม่ ผลิตภัณฑ์แรกในซีรีส์ DTMOSVI 600 V คือ TK055U60Z1 ซึ่งใช้กระบวนการรุ่นล่าสุดของ Toshiba ที่มีโครงสร้าง Super Junction

MOSFET ใหม่มี R_DS(on) เพียง 55 mΩ ซึ่งเพิ่มขึ้น 13% เมื่อเทียบกับอุปกรณ์ที่คล้ายคลึงกันในซีรีส์ DTMOSIV-H รุ่นเก่าของบริษัท นอกจากนี้ R_DS(on) x Q_gd ยังเพิ่มประสิทธิภาพของ MOSFET ขึ้นประมาณ 52% การใช้งานเป้าหมาย ได้แก่ แหล่งจ่ายไฟสวิตชิ่งประสิทธิภาพสูงในศูนย์ข้อมูล เครื่องกรองไฟสำหรับเครื่องกำเนิดไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์ และระบบสำรองไฟ

MOSFET กำลัง N-Channel รุ่นใหม่ใช้ประโยชน์จากความสามารถในการกระจายความร้อนขั้นสูงเพื่อรองรับกระแสไฟฟ้าในยานยนต์ที่มีปริมาณมากขึ้น

อุปกรณ์ 40 V มีความสามารถในการรองรับกระแสไฟฟ้าที่สูงขึ้นและค่าความต้านทานในสถานะเปิดที่ต่ำกว่า ในแพ็คเกจ L-TOGL^TM ที่ยกระดับด้านความร้อน

Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ได้เปิดตัว MOSFET กำลัง N-Channel เกรดยานยนต์ 40 V รุ่นใหม่สองรุ่นซึ่งพลิกโฉมการออกแบบรถยนต์ในอนาคต XPQR3004PB และ XPQ1R004PB ใช้รูปแบบแพ็คเกจพินปีกนกโครงร่างทรานซิสเตอร์ขนาดใหญ่ที่จะมาเขย่าวงการ หรือที่เรียกว่า L-TOGL^TM

ก่อนจะเข้าสู่ขั้นตอนการผลิตจำนวนมาก XPQR3004PB ยังประสบความสำเร็จด้วยการชนะรางวัลประเภท เซมิคอนดักเตอร์/ตัวขับกำลัง ประจำปี 2022 ในงาน World Electronics Achievement Awards (WEAA) เมื่อเร็ว ๆ นี้ ซึ่งจัดขึ้นโดย AspenCore

ด้วยแพ็คเกจ L-TOGL และคุณลักษณะการกระจายความร้อนที่ดียิ่งขึ้น ทำให้ MOSFET จาก Toshiba ที่เพิ่งเปิดตัวใหม่ได้รับการปรับให้เหมาะสมกับการจัดการกระแสไฟฟ้าในปริมาณมาก

MOSFET ประสิทธิภาพสูง 150 V U-MOS X-H รุ่นใหม่

การฟื้นตัวย้อนกลับที่ดียิ่งขึ้น ช่วยลดการสูญเสียการเรียงกระแสแบบซิงโครนัสได้อย่างมาก

Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ได้เปิดตัว MOSFET กำลัง N-Channel 150 V รุ่นใหม่โดยใช้กระบวนการ U-MOS-H รุ่นล่าสุดของ Toshiba อุปกรณ์รุ่นใหม่ (TPH9R00CQ5) ได้รับการออกแบบมาเป็นพิเศษเพื่อใช้กับแหล่งจ่ายไฟสวิตชิ่งประสิทธิภาพสูง เช่น การใช้งานในสถานีฐานการสื่อสาร ตลอดจนการใช้งานด้านอุตสาหกรรมอื่น ๆ ด้วยพิกัด V_DSS สูงสุดที่ 150 V และการจัดการกระแส (I_D) ที่ 64 A อุปกรณ์ใหม่นี้จึงมีค่าความต้านทานในสถานะเปิดระหว่างเดรน-ซอร์สที่ต่ำมาก (R_DS(ON)

ประสิทธิภาพการฟื้นตัวย้อนกลับมีความสำคัญอย่างมากต่อโซลูชันพลังงานประสิทธิภาพสูงที่ใช้การเรียงกระแสแบบซิงโครนัส เนื่องจาก TPH9R00CQ5 รุ่นใหม่มีบอดี้ไดโอดความเร็วสูงในตัวจึงช่วยลดค่าประจุฟื้นตัวย้อน (Q_rr) ประมาณ 74% (เป็นประเภท 34nC) เมื่อเทียบกับอุปกรณ์ที่มีอยู่ เช่น TPH9R00CQH นอกจากนี้ยังใช้เวลาการฟื้นตัวย้อนกลับ (t_rr) เพียง 40 ns ซึ่งดีกว่าถึง 40% เมื่อเทียบกับอุปกรณ์รุ่นก่อน

Toshiba เพิ่มความหลากหลายให้กับกลุ่ม MOSFET Super Junction ด้วยอุปกรณ์ 650 V อีกสี่รุ่น

ประสิทธิภาพที่ดียิ่งขึ้นและการสูญเสียที่ลดลงจะช่วยยกระดับประสิทธิภาพของแหล่งจ่ายไฟ

Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ได้เพิ่มอุปกรณ์ MOSFET กำลัง 650 V N-Channel Super Junction อีกสี่รุ่นเพื่อเพิ่มความหลากหลายให้กับซีรีส์ DTMOSVI อุปกรณ์รุ่นใหม่นี้ต่อยอดจากความสำเร็จในตลาดของอุปกรณ์รุ่นปัจจุบัน และจะนำไปใช้กับการใช้งานหลัก ๆ เช่น แหล่งจ่ายไฟในอุตสาหกรรมและระบบไฟ และการใช้งานอื่น ๆ ที่ต้องการประสิทธิภาพสูงสุดในฟอร์มแฟกคเตอร์ขนาดเล็ก

MOSFET TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z และ TK190E65Z รุ่นใหม่ลดค่าความต้านทานในสถานะเปิดระหว่างเดรน-ซอร์ส (R_DSON) ถึง 40% x ค่า Figure of Merit (FoM) ของค่าประจุระหว่างเกต-เดรน (Q_gd) เมื่อเทียบกับ DTMOS รุ่นก่อนหน้า ซึ่งทำให้การสูญเสียการสวิตช์ของอุปกรณ์รุ่นก่อน ๆ ที่ลดลงอย่างมาก  ด้วยเหตุนี้ การออกแบบที่รวมเอาอุปกรณ์รุ่นใหม่ๆ เข้าด้วยกันจึงมีประสิทธิภาพเพิ่มขึ้น การยกระดับประสิทธิภาพถูกนำไปใช้ในการออกแบบใหม่ๆ ตลอดจนการอัปเกรดการออกแบบที่มีอยู่

ซื้อ TK090E65Z เลยซื้อ TK110E65Z เลยซื้อ TK155E65Z เลย ซื้อ TK190E65Z เลย

เอกสารข้อมูล TK090E65Z เอกสารข้อมูล TK110E65Zเอกสารข้อมูล TK155E65Z เอกสารข้อมูล TK190E65Z

ข่าวประชาสัมพันธ์