Wide Bandgap onsemi™
เทคโนโลยี Wide Bandgap – เปิดประตูสู่การใช้งานระบบเมกะเทรนด์
ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) และแกลเลียมไนไตรด์ (เกตไดรเวอร์ GaN) เป็นวัสดุแห่งอนาคตสำหรับการแปลงพลังงานประสิทธิภาพสูงและยานพาหนะไฟฟ้า
กลุ่มผลิตภัณฑ์แห่งอนาคต Wide Bandgap จาก onsemi
วัสดุ Wide Bandgap (WBG) จะตัวขับเคลื่อนการใช้งานประสิทธิภาพสูงในด้านต่างๆ เช่น การใช้พลังงานไฟฟ้าในยานพาหนะ พลังงานแสงอาทิตย์และพลังงานลม คลาวด์คอมพิวติ้ง การชาร์จ EV (รถยนต์ไฟฟ้า) การสื่อสาร 5G และอื่นๆ อีกมากมาย โดย onsemi มีส่วนในการพัฒนามาตรฐานสากลเพื่อช่วยผลักดันและประยุกต์ใช้เทคโนโลยีพลังงาน Wide Bandgap (WBG)
เทคโนโลยี Wide Bandgap มอบประสิทธิภาพในระดับสูง
- การสลับที่รวดเร็วกว่า
- การสูญเสียพลังงานที่น้อยกว่า
- ความหนาแน่นของพลังงานที่เพิ่มขึ้น
- อุณหภูมิในการทำงานที่สูงกว่า
ตอบสนองต่อความต้องการของการออกแบบ
- ประสิทธิภาพที่สูงกว่า
- โซลูชันขนาดกะทัดรัด
- น้ำหนักที่น้อยกว่า
- ต้นทุนระบบที่ลดลง
- ความน่าเชื่อถือที่เพิ่มขึ้น
การใช้งาน
- พลังงานแสงอาทิตย์และลม
- การใช้พลังงานไฟฟ้าในยานพาหนะ
- ตัวขับมอเตอร์
- คลาวด์คอมพิวติ้ง
- การชาร์จ EV
- การสื่อสาร 5G
กลุ่มผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
- มอสเฟต SiC ขนาด 650V, 900V และ 1200V
- ไดโอด SiC ขนาด 650V, 1200V และ 1700V
- SiC , GaN, และเกตไดรเวอร์แบบแยกกระแสไฟฟ้าสำหรับสภาพกระแสไฟฟ้าสูง
- โมดูลจ่ายไฟ SiC
- IGBT ชนิดยานยนต์พร้อมไดโอดโคแพ็ก SiC
กลุ่มผลิตภัณฑ์ไดโอด
กลุ่มผลิตภัณฑ์ไดโอดซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) จาก onsemi รวมถึงตัวเลือกที่ผ่านการรับรองมาตรฐาน AEC-Q101 และ PPAP ที่ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมโดยเฉพาะและผ่านการรับรองสำหรับการใช้งานในยานยนต์และในอุตสาหกรรม ไดโอด Schottky ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ใช้เทคโนโลยีใหม่ทั้งหมดซึ่งมอบประสิทธิภาพการสลับที่เหนือกว่าและความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้นเมื่อเทียบกับซิลิคอน
กลุ่มผลิตภัณฑ์ IGBT
กลุ่มผลิตภัณฑ์ IGBT ให้ประสิทธิภาพสูงสุดพร้อมการนำไฟฟ้าและการสูญเสียสวิตชิ่งที่ต่ำสำหรับการทำงานที่มีประสิทธิภาพสูงในการใช้งานที่หลากหลาย ด้วยการใช้เทคโนโลยี IGBT ฟิลด์สตอปความเร็วสูงเจเนอเรชัน 4 ที่มาใหม่
ซื้อเลยตอนนี้
กลุ่มผลิตภัณฑ์โมดูล
โมดูล SiC ประกอบด้วยมอสเฟต SiC และไดโอด SiC โมดูลบูสต์ถูกใช้ในขั้นตอน DC-DC ของอินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์ โมดูลเหล่านี้ใช้มอสเฟต SiC และไดโอด SiC ที่มีอัตราแรงดันไฟฟ้า 1200 V
โมดูลไฮบริด Si/SiC ประกอบด้วย IGBT, ไดโอดซิลิคอน และไดโอด SiC ซึ่งถูกใช้ในขั้นตอน DC-AC ของอินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์ ระบบกักเก็บพลังงาน และอุปกรณ์จ่ายไฟสำรอง
ซื้อเลยตอนนี้
กลุ่มผลิตภัณฑ์มอสเฟต
พอร์ตโฟลิโอของมอสเฟตซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) จาก onsemi ได้รับการออกแบบให้รวดเร็วและทนทาน มอสเฟตซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) มีความแรงของสนามสลายแรงดันไฟฟ้าสูงกว่า 10 เท่า ความเร็วอิ่มตัวของอิเล็กตรอนสูงขึ้น 2 เท่า แถบช่องว่างพลังงานสูงขึ้น 3 เท่า และค่าการนำความร้อนสูงขึ้น 3 เท่า
กลุ่มผลิตภัณฑ์ไดรเวอร์
กลุ่มผลิตภัณฑ์เกตไดรเวอร์จาก onsemi ประกอบด้วยเกตไดรเวอร์ GaN, ไดรเวอร์ชนิดอินเวอร์ติงและไดรเวอร์ชนิดไม่อินเวอร์ติงชนิด IGBT, FET, มอสเฟต, มอสเฟต H-Bridge และมอสเฟต SiC ซึ่งเหมาะสำหรับการใช้งานในการสลับ โดยเกตไดรเวอร์จาก onsemi มอบคุณสมบัติและประโยชน์ ซึ่งรวมถึงประสิทธิภาพของระบบสูงและความน่าเชื่อถือสูง
ซื้อเลยตอนนี้
กลุ่มผลิตภัณฑ์ GaN
ลักษณะการทำงานที่เหมาะสมที่สุดโดยกลุ่มผลิตภัณฑ์เกตไดรเวอร์จาก onsemi ที่ช่วยให้ตอบสนองความต้องการของการใช้งานเฉพาะ ได้แก่ แหล่งจ่ายไฟรถยนต์, อินเวอร์เตอร์ตัวฉุด HEV/EV, เครื่องชาร์จ EV, ตัวแปลงเรโซแนนซ์, คอนเวอร์เตอร์ฮาล์ฟบริดจ์และฟูลบริดจ์, ฟลายแบ็กคอนเวอร์เตอร์แคลมป์แบบแอ็คทีฟ, เสาโทเท็ม และอื่นๆ
ซื้อเลยตอนนี้
