ซีรีส์ KC-LINK™

ภาพรวม

ตัวเก็บประจุแบบติดตั้งบนพื้นผิว KC-LINK จาก KEMET ออกแบบมาเพื่อตอบสนองความต้องการที่เพิ่มมากขึ้นของเซมิคอนดักเตอร์ที่มีการสวิตช์ที่รวดเร็ว ซึ่งทำงานภายใต้แรงดันไฟฟ้า อุณหภูมิ และความถี่ที่สูงขึ้น ตัวเก็บประจุเหล่านี้ใช้ C0G/NPO ที่ทนทานและเป็นกรรมสิทธิ์เฉพาะบนระบบไดอิเล็กทริกของอิเล็กโทรดโลหะ (BME) จาก KEMET จึงเหมาะอย่างยิ่งสำหรับตัวแปลงพลังงาน อินเวอร์เตอร์ สนับเบอร์ และเรโซเนเตอร์ที่ให้ความสำคัญกับการทำงานที่มีประสิทธิภาพสูงเป็นอันดับแรก ค่าความต้านทานอนุกรมภายในของตัวเก็บประจุ (ESR) และค่าความต้านทานความร้อนต่ำมากทำให้ตัวเก็บประจุ KC-LINK สามารถทำงานที่กระแสกระเพื่อมสูงมากได้โดยที่ค่าความจุไม่เปลี่ยนแปลงเมื่อเทียบกับแรงดันไฟฟ้า DC และค่าความจุเปลี่ยนแปลงเล็กน้อยเมื่อเทียบกับอุณหภูมิ ตัวเก็บประจุเหล่านี้มีอุณหภูมิในการทำงานที่ 150°C จึงสามารถติดตั้งไว้ใกล้กับเซมิคอนดักเตอร์ที่มีการสวิตช์ที่รวดเร็วในการใช้งานที่มีความหนาแน่นกำลังสูง ซึ่งไม่จำเป็นต้องระบายความร้อนมากนักได้

เทคโนโลยี C0G บนไดอิเล็กทริก KC-LINK ยังแสดงถึงประสิทธิภาพเชิงกลที่ทนทานเมื่อเทียบกับเทคโนโลยีไดอิเล็กทริกอื่น ๆ ทำให้สามารถติดตั้งตัวเก็บประจุได้โดยไม่ต้องใช้ลีดเฟรม ทำให้มีค่าความเหนี่ยวนำอนุกรมภายในของตัวเก็บประจุ (ESL) ต่ำมาก ซึ่งช่วยเพิ่มช่วงความถี่ในการทำงานโดยทำให้มีขนาดที่เล็กลง