ขับเคลื่อนประสิทธิภาพในวงจรขับ

1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 ที่มาพร้อมความหนาแน่นกำลังที่สูงขึ้นและการสวิตช์ที่ปรับมาให้อย่างเหมาะสม

ด้วยเทคโนโลยี Micro-Pattern Trench ล่าสุด ไดโอด 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 และ EC7 จึงช่วยลดการสูญเสียได้อย่างดีเยี่ยมและมีระดับของความสามารถในการควบคุมที่สูง อุปกรณ์นี้ปรับมาให้เหมาะสมกับการใช้งานวงจรขับในอุตสาหกรรม ดังนั้น อุปกรณ์จะทำให้การสูญเสียไฟฟ้าสถิตลดต่ำลง ความหนาแน่นของกำลังเพิ่มสูงขึ้น และการสวิตช์นุ่มนวลกว่าเดิม

EconoDUAL™ 3 (ฮาล์ฟบริดจ์สำหรับกำลังระดับกลาง)

โมดูล EconoDUAL™ 3 วางจำหน่ายแล้ววันนี้ร่วมกับรุ่นล่าสุดของ TRENCHSTOP™ IGBT7 ที่ช่วยขยายกำลังของกลุ่มผลิตภัณฑ์ 1200 V จนสูงถึง 900 A ผลิตภัณฑ์ 900 A 1200 V EconoDUAL™ มีการใช้งานตัวเรือนที่ได้รับการปรับปรุงเพื่อจัดการกระแสไฟที่เพิ่มขึ้นและอุณหภูมิภายในพื้นที่เดียวกัน เมื่อใช้งานร่วมกับเทคโนโลยี TRENCHSTOP™ IGBT7 ก็จะเห็นได้ชัดว่าการสูญเสียลดน้อยลงเป็นอย่างมาก พร้อมความสามารถในการควบคุมระดับสูง และความนุ่มนวลในการสวิตช์ รวมถึงความสามารถในการต้านทานไฟฟ้าลัดวงจรระดับสูง มาพร้อมอุณหภูมิการปฏิบัติงานสูงสุดที่ 175°C ขณะกระแสเกินพิกัด ประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยมและความหนาแน่นกำลังตามมาตรฐาน ซึ่งนำไปสู่การใช้ระบบที่ง่ายขึ้นและต้นทุนที่ลดลง

CoolSiC™ 1200 V MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) แบบ Trench ในแพ็กเกจ TO-263-7

CoolSiC™ 1200 V 30 mΩ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ในแพ็กเกจ D2PAK-7L (TO-263-7) สร้างจากกระบวนการของเซมิคอนดักเตอร์แบบ Trench ที่ล้ำสมัยซึ่งปรับมาให้เหมาะสมเพื่อผสานประสิทธิภาพเข้ากับการทำงานที่เชื่อถือได้ เทคโนโลยีการสูญเสียกำลังที่ต่ำของ CoolSiC ร่วมกับเทคโนโลยีการเชื่อมต่อ XT ในแพ็กเกจ SMD 1200 V ที่ปรับให้เหมาะสมแบบใหม่จะทำให้เกิดประสิทธิภาพสูงสุดและความสามารถของระบบทำความเย็นโดยธรรมชาติในการใช้งานต่างๆ เช่น วงจรขับ เครื่องชาร์จ และอุปกรณ์จ่ายไฟในอุตสาหกรรม

กลุ่มผลิตภัณฑ์ EiceDRIVER™ X3 Compact และ Enhanced

EiceDRIVER™ X3 Compact เป็นกลุ่มผลิตภัณฑ์วงจรขับเกตที่ทำหน้าที่แยก ซึ่งรวมถึงกลุ่มผลิตภัณฑ์ X3 Compact 1ED31xx ที่มีแคลมป์ Miller หรือฟังก์ชันเอาต์พุตแบบแยก ขอแนะนำเป็นอย่างยิ่งให้เปิดใช้งานฟังก์ชันแคลมป์ Miller เมื่อปิดใช้งาน MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) 0 V กระแสเอาต์พุตสูงถึง 14 A, 200 kV/µs CMTI, การจับคู่ความเร็วในการแพร่กระจายสูงสุดที่ 7 ns และแรงดันการจ่ายไฟเอาต์พุตสูงสุดที่ 40 V วงจรกรองความถี่ในตัวจะช่วยลดความจำเป็นในการใช้วงจรกรองความถี่ภายนอก

EiceDRIVER™ X3 Enhanced เป็นกลุ่มผลิตภัณฑ์วงจรขับเกตที่ทำหน้าที่แยก ซึ่งรวมถึงกลุ่มผลิตภัณฑ์ X3 Analog 1ED34xx และกลุ่มผลิตภัณฑ์ X3 Digital 1ED38xx ที่มาพร้อม DESAT, แคลมป์ Miller, การปิดแบบซอฟต์ออฟ และความสามารถในการกำหนดค่า I2C กลุ่มผลิตภัณฑ์วงจรขับเกตที่มีความยืดหยุ่นสูงนี้มีฟีเจอร์ที่สามารถกำหนดค่าและตัวเลือกการตรวจสอบที่หลากหลาย จึงสามารถช่วยนำไปใช้งานได้อย่างสร้างสรรค์ เช่น การบำรุงรักษาเชิงคาดการณ์

ไมโครคอนโทรลเลอร์ในอุตสาหกรรม 32-bit XMC™ ที่ใช้ Arm® Cortex®-M

ไมโครคอนโทรลเลอร์ XMC1000 ที่มาพร้อมกับแกนประมวลผล Arm® Cortex®-M0 และอุปกรณ์เชื่อมต่อแปลกใหม่ที่ได้รับการยอมรับจากตลาดด้วยกระบวนการผลิต 65nm สุดล้ำสมัย XMC1000 คือตัวเลือกที่ดีที่สุดในการยกระดับการออกแบบแบบดั้งเดิมที่เป็น 8-bit ไปสู่อีกขั้น อุปกรณ์ XMC4000 ทั้งหมดใช้พลังงานจาก Arm® Cortex®-M4 ที่มีชุดคำสั่ง DSP ในตัว หน่วยคำนวณเลขทศนิยมแบบเดี่ยว ฟีเจอร์การเข้าถึงข้อมูลในหน่วยความจำโดยตรง (DMA) และหน่วยป้องกันความจำ (MPU) เป็นสิ่งที่ล้ำสมัยสำหรับทุกอุปกรณ์ แม้จะเป็น XMC4000 ที่เล็กที่สุดก็ทำงานได้สูงถึง 80MHz ในแกนประมวลผลและอุปกรณ์เชื่อมต่อ มาพร้อมชุดสัญญาณแอนะล็อก/ผสมแบบธรรมดาที่รวดเร็วและแม่นยำอย่างครบครัน ทั้งยังมีตัวจับเวลา/PWM และอุปกรณ์เชื่อมต่อในการติดต่อสื่อสาร

แฟลช NOR

แฟลช NOR เป็นหน่วยความจำที่เหมาะสำหรับการเก็บโค้ดในระบบแบบฝังเนื่องจากประสิทธิภาพการอ่านแบบสุ่มที่รวดเร็ว ประสิทธิภาพนี้ยังรองรับฟังก์ชันการใช้งาน XIP (รันโปรแกรมในตัว) ที่อนุญาตให้ตัวควบคุมโฮสต์รันโค้ดโดยตรงจากหน่วยความจำแฟลช NOR โดยไม่ต้องคัดลอกโค้ดไปที่ RAM ก่อน ประสิทธิภาพหน่วยความจำ NOR แบบอนุกรมระดับสูงทำให้สามารถใช้ XIP ได้ในการออกแบบการใช้งานมากมายในวงกว้าง

บอร์ดอินเวอร์เตอร์สำหรับวงจรขับมอเตอร์ที่ใช้ CoolSiC™ MOSFET

EVAL-M5-IMZ120R-SIC และ EVAL-M5-E1B1245N-SIC เป็นบอร์ดอินเวอร์เตอร์แบบ 3 เฟสสำหรับการใช้งานวงจรขับมอเตอร์ร่วมกับ CoolSiC™ MOSFET ของเรา บอร์ดควบคุมที่มีคอนเนคเตอร์อินเทอร์เฟซ M5 32 พินติดตั้งอยู่ เช่น XMC DriveCard 4400 จะสามารถนำไปใช้สำหรับการปฏิบัติงานได้ เมื่อใช้ร่วมกัน ทั้งสองอุปกรณ์จะทำงานและสาธิตให้เห็นถึงการใช้ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ในการใช้งานนี้ อินเวอร์เตอร์ EVAL-M5-IMZ120R-SIC ใช้แพ็กเกจ TO247 และ EVAL-M5-E1B1245N-SIC ใช้แพ็กเกจ Easy1B

นอกจากนี้ EVAL-M1-IM818-A ยังเป็นบอร์ดประเมิน MADK ที่พร้อมใช้งานส่วนกำลังที่ 1200 V IM818-MCC CIPOS™ Maxi IPM เพื่อขับมอเตอร์ 380 V แบบ 3 เฟส