อยากได้เพิ่มใช่ไหม
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB31.780 |
| 10+ | THB22.220 |
| 25+ | THB20.290 |
| 50+ | THB18.350 |
| 100+ | THB16.410 |
| 500+ | THB13.760 |
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The VSMY2850RG is a 850nm Infrared Emitting Diode based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensities, high optical power and high speed, moulded in clear. It is suitable for high pulse current operation and floor life of 4 weeks, MSL 2a, according to J-STD-020. It is suitable for use in IrDA compatible data transmission, miniature light barrier, photointerrupters, optical switch, emitter source for proximity sensors, IR touch panels and IR illumination.
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Terminal configurations - Gull-wing or reserve gull-wing
- ±10° Angle of half intensity
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
850nm
SMD
10ns
100mA
-40°C
-
MSL 2A - 4 weeks
10°
10mW/Sr
10ns
1.9V
85°C
-
No SVHC (07-Nov-2024)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์