พิมพ์หน้า
BF991,215
RF FET Transistor, 20 V, 20 mA, 200 mW, SOT-143
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNXP
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBF991,215
รหัสสินค้า1349658RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id20mA
Power Dissipation200mW
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleSOT-143
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The BF991 is a 20V N-channel depletion mode Dual Gate MOSFET protected against excessive input voltage surges by integrated back to back diodes between gate and source. Used in VHF television tuners and FM tuners applications.
- Interconnected source and substrate
- 150°C Junction temperature
การใช้งาน
Communications & Networking, RF Communications, Consumer Electronics
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds
20V
Power Dissipation
200mW
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
20mA
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SOT-143
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
เอกสารทางเทคนิค (1)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Hong Kong
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Hong Kong
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000181