คุณได้กรอกค่าในเขตข้อมูลที่ถูกเน้นด้านล่างที่มีอักขระที่ไม่ถูกต้อง โปรดทบทวนการเลือกของคุณโดยใช้ อักขระที่ถูกต้องเท่านั้น
ผลิตภัณฑ์อาจไม่ตรงกับการค้นหาของคุณทั้งหมด
GAN063-650WSAQ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 V, 34.5 A, 0.06 ohm, 15 nC, TP-247, Through Hole
- ผู้ผลิต:
- NEXPERIA NEXPERIA
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:
- GAN063-650WSAQ
- รหัสสินค้า
- 3106435
- เอกสารข้อมูลทางเทคนิค:
- GAN063-650WSAQ Datasheet
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
- Ultra-low reverse recovery charge
- Simple gate drive (0 V to +10 V or 12 V)
- Robust gate oxide (±20 V capability)
- High gate threshold voltage (+4 V) for very good gate bounce immunity
- Very low source-drain voltage in reverse conduction mode
- Transient over-voltage capability (800 V)
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ต้องการดูผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันหรือไม่ เพียงเลือกคุณสมบัติที่คุณต้องการด้านล่างแล้วกดปุ่ม ×
- :
- 650V
- :
- 34.5A
- :
- 0.06ohm
- :
- 15nC
- :
- TP-247
- :
- Through Hole
- :
- 3Pins
- :
- -
- :
- MSL 3 - 168 hours
เอกสารทางเทคนิค (3)
245 ในสต็อก อยากได้เพิ่มใช่ไหม
คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที เพียงสั่งซื้อปริมาณที่คุณต้องการและชำระเงินตามปกติ จำนวนสินค้าที่ไม่สามารถจัดส่งได้ในตอนนี้จะถูกรวมเข้ากับการสั่งซื้อเมื่อมีสินค้าและส่งมอบให้ทันทีที่เราได้รับสินค้าจากซัพพลายเออร์ คุณจะถูกเรียกเก็บเงินเฉพาะกับสินค้าที่ถูกส่งไปให้คุณเท่านั้น
มีสินค้าเพิ่มเติมเมื่อทำการสั่งซื้อ สำหรับช่วงเวลารอของซึ่งใช้เวลาประมาณ 26/7/2564
ไม่สามารถแสดงการกำหนดราคา โปรด ติดต่อฝ่ายบริการลูกค้า
- ราคาสำหรับสินค้า:
- อันละ
จำนวน | ราคา | ราคาสำหรับสินค้าคุณ |
---|---|---|
1+ | THB443.69 | |
10+ | THB408.12 | |
25+ | THB391.02 | |
100+ | THB338.13 | |
250+ | THB327.18 | |
500+ | THB305.98 | |
1000+ | THB293.67 |
ไม่สามารถแสดงการกำหนดราคา โปรด ติดต่อฝ่ายบริการลูกค้า