Low

ON SEMICONDUCTOR  BC857BTT1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 150 hFE

ON SEMICONDUCTOR BC857BTT1G
Technical Data Sheet (104.14KB) EN ดูเอกสารทางเทคนิคทั้งหมด

ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์

ข้อมูลผลิตภัณฑ์

Transistor Polarity:
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
-45V
Transition Frequency ft:
100MHz
Power Dissipation Pd:
200mW
DC Collector Current:
-100mA
DC Current Gain hFE:
150hFE
Transistor Case Style:
SOT-416
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน  ซึ่งจัดกลุ่มตามคุณสมบัติทั่วไป

กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม

ระดับของความไวต่อความชื้น:
MSL 1 - Unlimited
ประเทศต้นกำเนิด:
United States

ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ

เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:
ใช่
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:
85412100
น้ำหนัก (กก.):
.001

ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่มีหน้าที่การทำงานคล้ายกับผลิตภัณฑ์นี้ เลือกลิงค์ใดลิงค์หนึ่งต่อไปนี้ แล้วระบบจะนำคุณไปยังหน้ากลุ่มผลิตภัณฑ์ซึ่งแสดงผลิตภัณฑ์ทั้งหมดในประเภทนี้ซึ่งมีคุณสมบัติที่ระบุร่วมกัน